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Anmaterials informatics approach to Ni-based single crystal superalloys
latticemisfit prediction
Xue Jiang,Hai-Qing Yin, Cong Zhang, et.al
ComputationalMaterials Science. 2018, 143
摘要
在鎳基單晶高溫合金中γ和γ'相的晶格錯(cuò)配度對(duì)顯微組織的穩(wěn)定性和高溫蠕變和疲勞抗力起著至關(guān)重要的作用。因此快速準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)晶格錯(cuò)配度是非常重要的,特別是對(duì)于昂貴、耗時(shí)、耗材的材料試錯(cuò)設(shè)計(jì)法。在本研究中提供了一種使用化學(xué)成分、枝晶信息和測(cè)量溫度等相關(guān)材料描述符來預(yù)測(cè)錯(cuò)配度的機(jī)器學(xué)習(xí)方法。在實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)集上使用線性或多核的支持向量回歸、序貫最小優(yōu)化回歸和多層感知器算法選擇適當(dāng)?shù)哪P?,多層感知器模型具有較高的相關(guān)系數(shù)和較低的誤差值,具有良好的預(yù)測(cè)性能。通過將預(yù)測(cè)的晶格錯(cuò)配度與廣泛使用的經(jīng)驗(yàn)公式和實(shí)驗(yàn)觀測(cè)值相比較,驗(yàn)證了該方法的正確性。
關(guān)鍵詞
材料信息學(xué),機(jī)器學(xué)習(xí),鎳基高溫合金,晶格錯(cuò)配,合金設(shè)計(jì)
文章部分附圖
圖1:(a)γ和γ'相的晶格錯(cuò)配度;(b)枝晶與枝晶中心之間的位置差異
圖2:機(jī)器學(xué)習(xí)在訓(xùn)練集上的性能。(a)線性核的支持向量回歸(SVR/lin);(b)多核的支持向量回歸(SVR/poly);(c)歸一化聚核SMO回歸(SMOreg/norpoly);(d)多核SMO回歸(SMOreg/poly);(e)多層感知器(MLP)。
圖3 訓(xùn)練集上的機(jī)器學(xué)習(xí)模型的相關(guān)系數(shù)
圖4: 數(shù)據(jù)集上機(jī)器學(xué)習(xí)模型的MAE(平均絕對(duì)誤差)和RMSE(均方根誤差)。
圖5 CCBE、WATANABE(1957)計(jì)算和MLP預(yù)測(cè)的錯(cuò)配度對(duì)比
結(jié)論
與機(jī)器學(xué)習(xí)算法相結(jié)合的信息學(xué)方法為材料設(shè)計(jì)提供了一種新的方法,特別是鎳基單晶高溫合金的晶格錯(cuò)配問題。在本文中,我們手工從開放獲取文獻(xiàn)中積累相關(guān)數(shù)據(jù)集,并構(gòu)造專用的鎳基單晶高溫合金數(shù)據(jù)庫進(jìn)行數(shù)據(jù)重用。再進(jìn)行數(shù)據(jù)預(yù)處理之后,采用SVR(支持向量回歸), SMOreg(序貫最小優(yōu)化回歸)和MLP(多層感知器)機(jī)器學(xué)習(xí)算法訓(xùn)練線性和多核的錯(cuò)配度模型,以選擇最合適的模型。最終選擇了具有高相關(guān)系數(shù)、低MAE和RMSE值的預(yù)測(cè)性能的MLP模型。另外,通過對(duì)比MLP錯(cuò)配模型和眾所周知的經(jīng)驗(yàn)公式的預(yù)測(cè)精度,發(fā)現(xiàn)MLP模型表現(xiàn)更好。因此,機(jī)器學(xué)習(xí)輔助方法加速了在少量實(shí)驗(yàn)和測(cè)量的基礎(chǔ)上的定量錯(cuò)配預(yù)測(cè)過程。這對(duì)降低合金設(shè)計(jì)的時(shí)間和成本具有重要意義。在目前的研究中,我們考慮了試樣的成分、枝晶信息、形狀尺寸和溫度的影響。然而其它決定錯(cuò)配度的關(guān)鍵因素,包括不同的熱處理參數(shù)和應(yīng)力約束的影響,將在未來進(jìn)行研究。決定蠕變和疲勞性能的錯(cuò)配因素的顯式規(guī)則,有望用于鎳基單晶高溫合金的逆向設(shè)計(jì)。
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