Informaticsand data science in materials microscopy
Paul M. Voyles
Current Opinion inSolid State and Materials Science(2016)
摘要
采用各種顯微鏡方法表征的材料性質(zhì)的數(shù)據(jù)廣度、復雜度和體量正在顯著擴大。結(jié)合不斷增長的計算能力,材料顯微學數(shù)據(jù)中的信息學和數(shù)據(jù)科學技術(shù)應用將不斷增加,既提高了數(shù)據(jù)質(zhì)量,又提高了從數(shù)據(jù)中提取的材料信息。本文介紹了數(shù)據(jù)科學應用于材料顯微學中的最新進展,包括去噪、漂移和畸變校正、光譜分解以及從顯微鏡數(shù)據(jù)中獲取材料信息的模擬實驗等問題。涵蓋的技術(shù)有成分分析、聚類、優(yōu)化和壓縮感知,舉例說明需要結(jié)合若干信息學方法來解決的問題和在信息學技術(shù)的幫助下材料顯微學取得的最新進展。
文章部分附圖
圖1:基于斑塊的非局部去噪算法的過程示意圖,紅色斑塊是圖像去噪之后的一部分,藍色斑塊是圖像的其他包含相似強度模式的部。
圖2 :利用BM3D法模擬Z-對比圖像的去噪:(a)包括適度掃描失真的無噪聲模擬STEM圖像;(b)在(a)中加入泊松噪聲,使得任何像素的峰值強度為15個電子;(c)在(a)中加入6電子峰值強度的泊松噪聲;(d)采用泊松最大似然法和局部區(qū)塊匹配的BM3D對圖像b去噪;(e)基于泊松BM3D和統(tǒng)一區(qū)塊匹配的去噪。
圖3:Ca穩(wěn)定型Nd2/3TiO3的原子分辨級EDS成分地圖的去噪.(頂部)顯示Nd/Ca, Ti/O和O位置晶體結(jié)構(gòu)的原子模型,以及在晶體中相似位置的HAADF STEM照片。右上角的孔是有意為之的基準標記。(第一列)整合O Kα, Cα Kα, Ti Kα, and Nd Lα光帶繪制的原始光譜圖。(下面的行)分別使用WPCA, NLPCA, NLM和BM3D進行降噪獲得的圖。
圖4:BiFeO3基體中的CoFe2O4納米柱的復雜FORC-IV SPM電流-電壓數(shù)據(jù)的K-means聚類。(a)確認數(shù)據(jù)在四個簇內(nèi)的良好聚類;(b)4個簇的空間分布;(c)每個簇的平均FORC-IV曲線。
圖5:圖4數(shù)據(jù)的貝葉斯線性分解;(第一行)分解的個組分的I-V曲線,(第二行)四個不同組分的空間分布
圖6:對金納米粒子的Z-襯度STEM數(shù)據(jù)的遺傳算法改進。(a)納米粒子的Z襯度STEM照片;(b)改進之后的最終結(jié)構(gòu)的模擬圖像;(c) 模擬過程中,成本函數(shù)C和它的兩個條件:能量和試驗擬合的演變;(d)在試驗和最終模擬STEM圖中的原子柱位置的位移直方圖。
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